- "":


/

.
 ,
 

1

S16D

1,6 , 
1 , 2 Me, 
13 /

150
 p-Si
 <100> 
12 *

1,2

, =5

 

N

U,

0,3÷0,7 

0,3÷0,7 

I.., / 

220  90 
U , > 10 > 11

 

2

 

 

S16H

 

 

1,6 , 
1 , 1 Me,
 13 /

 

 

150
 p-Si
 <100> 
12 *

 

 

1,6

 

 

, , =5

 

 


/


 /

U,

0,5÷0,9

0,5÷0,9

I.., / 

170 

80 

U , >10 >10

 


/


 /

U,

0,5÷0,9

0,5÷0,9

I.., / 

105 >18

35 >18

U ,

3

 

S16Y

 

1,6 , , 
1 , 2 Me,
 14 /

 

150
 n-Si
 <100> 
4,5 *

 

1,2

 

, , =5

 

 

N

U,

0,6÷1,0 

0,6÷1,0 

I.., / 

210  80 
U , >8 >10

4

S16X

1,6  
EEPROM, 
2 , 1 Me,
 17 /

150
 p-Si
 <100> 
12 *

1,6

EEPROM, =2,4÷6,0

 


/


 /

U,

0,4÷0,9

0,6÷1,0

I.., / 

120 

70 

U , >12 >12

 


/


 /

U,

0,3÷0,55

0,6÷1,0

I.., / 

100

50

U ,

>17

>16

5

S12X

 

 

 

 

1,2
  EEPROM, 
2 , 2 Me,
 LDD , 
23 /

 

 

 

150
 p-Si
 <100>
 12 *

 

 

 

 

1,2

 

 

 

 

EEPROM, =2,4÷6,0

 

 

 

 

 


/


 /

U,

0,4÷0,8

0,5÷0,9

I.., / 

220 

110 

U , >12 >12

 


/


 /

U,

0,4÷0,8

0,5÷0,9

I.., / 

220 

110 

U , >12 >12

6

S08D

0,8 ,
2 , 2 Me,
 LDD , 
18 /

150
 p-Si
 <100>
 12 *

0,8

- , = 5

 

N

U,

0,4÷0,8 

0,5÷0,9 

I.., / 

320  150 
U , >10 >10

7

S08Y

0,8 ,
 , 
LDD , 
1 , 2 Me,
 16 /

150
 n-Si
 <100>
 4,5 *

0,8

, , = 5

 

N

U,

0,6÷0,9  

0,6÷1,0 

I.., / 

360 170 
U , >10 >10

8

S08XD

 

0,8 , 
3 , 
LDD , 
2 , 2 Me,
 26 /

 

 

150
 p-Si
 <100>
 12 *

 

 

0,8

 

 

EEPROM, =3,3÷5

 

 


/


 /

U,

0,4÷1,0

0,4÷1,0

I.., / 

340 

160 

U , >9 >9

 


/


 /

U,

0,3÷0,8

0,4÷0,9

I.., / 

160

60

U ,

>16

>16

9

S08HXE

0,8  
EEPROM, 
2 , 1 Me,
 19 /

150
 p-Si
 <100>
 12 *

0,8

EEPROM, =2,4÷6,0

 

N

U,

0,3÷0,8

0,4÷0,9

I.., / 

160

60

U ,

>16

>16

10

S08HXD

0,8  
EEPROM, 2 , 1-2 , 19-20 /

150
 p-Si
 <100>
 12 *

0,8

EEPROM, =2,4÷6,0

 

 

U,

0,3÷0,6  0,4÷0,8 

I.., / 

140  56 
U , >16 >16

11

S05D

0,8 , 
2 , 3 Me,
 LDD , 
20 /

150
 p-Si
 <100>
 12 *

0,5

A- , = 5

 

N

U,

0,55÷0,85 

0,65÷0,95  

I.., / 

450 220
U ,  >9 >9

12

S035D

0,8 , 
2 , 3 Me,
 LDD , 
18 /

200
 p-Si
 <100>
 12 *

0,35

, = 3,3

 

N

U,

0,5÷0,7 

0,6÷0,8  

I.., / 

420÷630  200÷300
U , >5 >5

13

CMOS18


2 , 
1 , 1 Me, SiO2 30 , 
11 /

100
 p-Si
 <100>
 12 *

1,2

, .=1,5; 3

 

N

U,

0,35÷0,75 

0,35÷0,75 

I.., / 

220  90 
U , >10 >10

14

CMOS15ACY


2 , 
1 , 2 Me, 
SiO2 24,5 , LDD
 N-, 14 /

100
 n-Si
 <100>
 0,015 *

1,2

, . =5

 

N

U,

0,7÷1,0 

0,6÷0,9 

I.., / 

210  80 
U , >12 >12

15

CMOS15VHCY


2 , 
1 , 1 Me,
SiO2 24,5 ,
 11 /

100
 -Si
 <100>
 12 *

1,2

, . =5

 

N

U,

0,6÷1,0 

0,6÷1,0  

I.., / 

210  80
U , >12 >12

16

CMOS30H


2 , 
2 , 1 Me,
  ,
  SiO2 42,5 NЖ , 
15 - 16 /

100
 -Si
 <100>
 12 *

1,5

, , .=15

 

N

U,

0,6÷1,0 

0,6÷1,0  

I.., / 

210  80 
U , >16 >16

 

PNP
 .

 

h21, U.,

>20 

U., >15

:
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-
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