ОАО ИНТЕГРАЛ


Производство/Фаундри

TSMC и UMC начнут строительство новых фабрик в апреле


Mindango 14.03.2012 19:47 ссылка на материал | версия для печати | архив
Согласно сообщению авторов техноблога Fudzilla, контрактные производители микросхем Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и United Microelectronics (UMC) получили необходимые согласования для начала расширения производственных мощностей на территории Южного научного парка Тайваня.
Этап, подразумевающий подготовку земли для начала строительства четырнадцатого завода TSMC, стартует 9 апреля, в то время как аналогичные работы для двенадцатой фабрики UMC начнутся двумя днями позже. По завершении строительства интегральные схемы сменят оптоэлектронику в качестве доминирующей продукции Южного научного парка.
На заводах планируется выпуск 300-миллиметровых пластин, совокупная стоимость которых достигнет 1.3-1.7 миллиарда долларов США в год. Также следует отметить, что TSMC и UMC выразили свою заинтересованность в дальнейшем расширении, что говорит об оптимистичном настроении производителей в отношении будущего полупроводниковой промышленности.
www.overclockers.ru/hardnews/14.03.2012

TSMC отрицает наличие серьёзных проблем с 28 нм техпроцессом


Lexagon 27.01.2012 06:55 ссылка на материал | версия для печати | архив
Недавние заявления аналитиков Future Horizons серьёзным образом подрывали репутацию TSMC – утверждалось, что компания имеет проблемы с уровнем выхода шести из десяти микросхем, выпускаемых по 28 нм технологии.
Представители европейского подразделения TSMC в комментариях сайту EE Times опровергли эту информацию. Скорость снижения плотности дефектов в рамках 28 нм техпроцесса вполне соответствует планам компании, при этом она лучше показателей 40/45 нм технологии на сопоставимом этапе внедрения. Опыт освоения 40 нм техпроцесса заставил TSMC сделать выводы и усилить контроль за дефектами. Очередная ступень в лице 20 нм технологии будет осваиваться с ещё большими трудностями, и это закономерно, но TSMC верит в свои силы.
Темпы освоения 28 нм техпроцесса заказчиками тоже радуют TSMC. Сейчас в массовом производстве находятся 36 изделий, на этапе опытного производства – 132 изделия. По темпам экспансии 28 нм техпроцесс в три раза превосходит своего предшественника в лице 40/45 нм технологии.
В прошлом квартале TSMC получила от реализации 28 нм продукции два процента выручки или $70 млн., в текущем квартале этот показатель может достичь 5% или $170 млн., по итогам года – вырасти до 10%. Подобный прогресс, по словам представителей TSMC, сложно приписывать техпроцессу, который якобы имеет проблемы. Стало быть, TSMC успешно преодолевает все возникающие трудности.
www.overclockers.ru/hardnews/27.01.2012


NVIDIA удалось добиться от TSMC привилегий?


Некоторое время назад уже появлялись сообщения о намерениях NVIDIA и Qualcomm заняться поиском альтернативных подрядчиков по выпуску 28 нм микросхем, поскольку TSMC со своими задачами в их представлении не справлялась. Во всяком случае, Qualcomm подобную информацию даже подтвердила, а NVIDIA признаться в существовании проблем с 28 нм техпроцессом до сих пор не в силах.
Как сообщил вчера сайт DigiTimes, компании NVIDIA удалось договориться с TSMC о приоритете в обслуживании собственных заказов, и теперь первая получила возможность вывести на рынок новые 28 нм графические решения в мае и июне.
Сообщается, что Qualcomm тоже получила привилегии, поэтому необходимость поиска альтернативных поставщиков для обеих компаний теряет актуальность. Нельзя исключать, однако, что перераспределение квот на производство 28 нм микросхем в пользу NVIDIA и Qualcomm негативно скажется на других клиентах TSMC. Компания делает всё возможное для скорейшего увеличения объёмов выпуска 28 нм изделий, но спрос может опережать предложение.
www.overclockers.ru/hardnews/10.05.2012

 

ATIC пока не получает прибыли от Globalfoundries


Содержание собственных производственных мощностей было для AMD делом накладным, и несколько лет назад она решила создать совместное предприятие с ATIC по имени Globalfoundries, в котором до этого года имела некоторую долю, но недавно окончательно освободилась от производственных активов. На деньги арабских инвесторов была приобретена сингапурская компания Chartered Semiconductor, началось строительство фабрики в предместьях Нью-Йорка и реконструкция германских производственных мощностей. Означает ли это, что ATIC считает Globalfoundries перспективным направлением бизнеса?
Ответ очевиден – в противном случае ATIC не вкладывала бы средства с развитие Globalfoundries. Однако, как сообщает информационное агентство Reuters, пока Globalfoundries не приносит ATIC прибыли, а лишь требует всё новых расходов. За прошлый год компания накопила $1,12 млрд. бюджетного дефицита, и в прошедшие два года генерировала только убытки. Даже сейчас ATIC не уверена, что Globalfoundries начнёт окупаться в текущем или последующих годах.
Тем не менее, в этом году ATIC собирается получить от материнской компании Mubadala достаточно средств на развитие своего полупроводникового бизнеса. Всего Mubadala собирается в текущем году потратить на инвестиции около $5,47 млрд. ATIC должна достаться основная часть этих средств, хотя Mubadala также инвестирует в совместное предприятие с General Electric и проекты в энергетической сфере.
ATIC и Mubadala продолжат вкладывать средства в расширение производственных мощностей Globalfoundries, надеясь превратить предприятие в "генератор прибыли" и "катализатор развития" для экономики ОАЭ.
www.overclockers.ru/hardnews/10.05.2012

 

Доходы чип-гиганта UMC всего за месяц выросли на 11%


Глобальные производители кремниевых пластин отмечают рост своих доходов в I кв. 2012 г. по сравнению с прошлым кварталом и планируют устройчивый рост своих доходов в течение 2012 года
Тайваньский производитель чипов United Microelectronics (UMC) объявил, что доходы в апреле 2012 г. по сравнению с мартом выросли на 11,4% и составили 311,3 млн долл. США.
По сделанному ранее UMC прогнозу объём поставок пластин возрастёт во II кв. 2012 г. на 15% по сравнению с I кв. из-за растущего спроса на ИС для коммутационных и потребительских приложений. Компания пока не опубликовала свой отчёт о доходах.
UMC сообщила, что полученные результаты за I кв. 2012 г. лучше, чем ожидались. При этом квартальные доходы снизились на 2,7%, а прибыль возросла на 36,2%. Прибыль на акцию за первый квартал составила 3,57 долл. США на 1000 акций по сравнению с 2,73 долл. США на 1000 акций в IV кв.2011 г.
С января по апрель UMC получила доход в сумме 1,12 млрд долл., что на 12,7% меньше по сравнению с аналогичным периодом 2011 г.
По данным экспертов консолидированная выручка крупнейшего контрактного производителя Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) во II кв. 2012 г. увеличится на 5-10%, что подтверждает прогноз UMC о росте доходов во II кв. 2012 г. Правда, за последнее время у TSMC возникли сложности с выполнением заказов по 28-нм технологии. Для того чтобы не потерять очень выгодные заказы, TSMC перевела в разряд приоритетных заказы на 28-нм продукты от Qualcomm и Nvidia. Из-за нехватки 28-нм производственных мощностей TSMC вынуждена выполнять заказы остальных своих клиентов по остаточному принципу (см. здесь и здесь).
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/10.05.2012

 


Доходы TSMC в апреле выросли


Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) заявила о том, что ее консолидированные доходы в апреле 2012 г. выросли на 9,2% за месяц и на 9,1% относительно прошлогоднего показателя, составив 1,4 млрд долл.
TSMC ожидает, что общий объем продаж во II кв. текущего года увеличится на 19–21% относительно предыдущего квартала и достигнет 126–128 млрд тайваньских долл.
За первые четыре месяца 2012 г. консолидированный доход TSMC составил 146 млрд тайваньских долл., что на 2,5% выше прошлогоднего показателя.
Ожидается, что объем продаж TSMC в 2012 г. превысит 500 млрд тайваньских долл. благодаря высокому спросу на кристаллы для мобильных устройств. Обозреватели отмечают, что производственные мощности, работающие по 28-нм техпроцессу, загружены полностью до IV кв. текущего года.
Ранее TSMC сообщала об ускорении темпов освоения 28-нм производства. Компания решила увеличить капитальные расходы в 2012 г. до 8–8,5 млрд долл.
Несколькими днями ранее другой тайваньский чипмейкер, компания UMC, сообщила об 11%-ном росте своих доходов за последний месяц.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.05.2012

 

SMIC сократила объём убытков в первом квартале 2012 г.
SMIC, крупнейший китайский производитель кремниевых пластин, показывает стабильный ежеквартальный рост 9,5% вместе с ростом полупроводникового рынка Китая
Крупнейший китайский производитель кремниевых пластин, компания Semiconductor Manufacturing International (SMIC), отмечает улучшение своих финансовых результатов в I кв. 2012 г. Так, размер чистых убытков в I кв. сократился до 42,8 млн долл. по сравнению с 165,2 млн долл. в предыдущем квартале. При этом квартальные доходы по сравнению с предыдущим кварталом возросли на 14,9% и составили 332,7 млн долл., однако, эта сумма ниже на 10,2% по сравнению с I кв. 2011 г, когда был зафиксирован доход в сумме 370,6 млн долл.
Валовая маржа компании в I кв. 2012 г. увеличилась до 12% по сравнению с 7,4% в предыдущем квартале. Аналитики считают, что увеличение валовой маржи связано с более активным действиями компании по улучшению использования имеющихся производственных мощностей и снижению себестоимости продукции. По мнению менеджемента компании, объем продаж и размер валовой маржи за I кв. 2012 соответствуют верхней границе прогноза, сделанного ранее руководством компании.
В компании ожидают, что во II кв. 2012 г. рост доходов составит от 19% до 21%, а увеличение валовой маржи будет в диапазоне от 19% до 22% по сравнению с I кв. 2012 г.
Цзы-Инь Чу (Tzu-Yin Chiu), исполнительный директор компании SMIC, отметил, что в компании ожидают рост продаж во второй половине 2012 года благодаря реализации первых партий коммутационных изделий? изготовленных по новым контрактам, мобильных телефонов и ТВ-приставок, а также увеличению спроса от некоторых из своих существующих клиентов.
В своём заявлении, Цзы-Инь Чу сказал: «Доходы компании от деятельности в Китае продолжают расти вместе с ростом китайского рынка полупроводников. В I кв. 2012 г. наши китайские доходы росли каждый квартал на 9,5% и доходы от поставок на рынок Северной Америки по-прежнему составляли более половины всех доходов компании, но их доля сократилась до 55,2% по сравнению 55,9% в предыдущем квартале. Доля доходов от поставок на китайский рынок составляла 32,5% от общей выручки компании в I кв. 2012 г.».
Напомним, что недавно крупнейшие тайваньские чипмейкеры TSMC и UMC также сообщили о большом росте своих доходов за последний период (см. ссылки ниже).
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/14.05.2012

 

Globalfoundries приобретает ProMOS за 0,7—1 млрд долл.


Globalfoundries получит заводы ProMOS по производству 300-мм пластин на Тайване и, соответственно, заказы дизайн-центров в Китае и на Тайване.
Компания Globalfoundries согласилась купить финансово несостоявшуюся компанию ProMOS Technology за 0,7–1 млрд долл. Globalfoundries получит заводы ProMOS по производству 12-дюймовых пластин в Тайчжуне (Taichung, центральная часть Тайваня) и, соответственно, заказы дизайн-центров в Китае и на Тайване.
Согласно условиям сделки, после смены хозяина ProMOS всё ещё будет продолжать свою деятельность в течение ближайших двух лет. Компания ProMOS известна как производитель микросхем памяти DRAM для ПК, но планирует переориентироваться на нишевые микросхемы памяти и оказание услуг по изготовлению иной продукции, например, ИС драйверов панелей.
Другой завод ProMOS по изготовлению 300-мм пластин, расположенный на севере Тайваня, ранее был продан компании Macronix International. ProMOS пошла на этот шаг ради возвращения рентабельности, но безуспешно. Компания осталась в минусе в 4-м кв. 2011 г. и была удалена с фондовой биржи Тайваня, поскольку торговля акциями была приостановлена ещё в сентябре 2011 г. в связи с непредоставлением финансовой отчетности в установленные сроки.
Компания Globalfoundries в настоящее время обладает двумя заводами по производству 300-мм пластин. Одна находится в Дрездене (Германия), другая ­– в Сингапуре. Общая мощность достигнет 130 000 пластин в месяц. Ещё один завод построен в Нью-Йорке, выпуск опытных партий запланирован на конец 2012 г.
Приобретение ProMOS поможет компании Globalfoundries развивать отношения с дизайн-центрами Тайваня, которые работают преимущественно на Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и United Microelectronics Corporation (UMC). Следующим шагом в стратегии компании значится выход на китайский рынок.
Ранее Globalfoundries приобрела Chartered Semiconductor Manufacturing у AMD, что позволило ей укрепить клиентскую базу, в которую вошли известные поставщики, такие как Qualcomm и Broadcom.
По данным Digitimes Research, на долю TSMC приходится 55% рынка в 4-м кв. 2011 г. UMC занимает 13%. Globalfoundries отстаёт совсем мало, её доля оценена в 12% за этот период.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/29.02.2012

Степень загрузки производственных мощностей TSMC возрастает


Руководители NVIDIA, как мы могли убедиться, не стесняются говорить о проблемах TSMC, препятствующих наращиванию объёмов выпуска 28 нм изделий. Как сообщает сайт DigiTimes, компания TSMC в целом испытывает трудности с обеспечением всех заказчиков продукцией.
Высокий спрос на микросхемы, выпускаемые по более тонкому по сравнению с 40 нм техпроцессом, вынудил TSMC загрузить имеющиеся мощности и увеличить сроки ожидания заказчиками готовой продукции. До конца первого квартала доступные мощности, вовлечённые в производство с использованием более тонких по отношению к 40 нм техпроцессов, уже загружены заказами со стороны разработчиков беспроводных решений.
Разработчики микросхем, используемых при обработке голоса и аудио, загрузили своими заказами фабрики TSMC, обрабатывающие кремниевые пластины типоразмера 150 мм и 200 мм. Фабрики работают с полной нагрузкой с конца февраля, а время ожидания заказов превышает 12 недель. Даже более "грубые" по отношению к 40 нм техпроцессы пользуются повышенным спросом. Как мы помним, в случае сохранения дефицита 28 нм изделий, глава NVIDIA пообещал оставить часть графических решений на 40 нм техпроцессе. В идеале же NVIDIA хотела бы перевести свои продукты на 28 нм технологию как можно скорее.
www.overclockers.ru/hardnews/03.03.2012

Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм


Компания Toshiba разработала и начала массовый выпуск 128-Гбит чипов NAND с трёхразрядными ячейками.
В основе работы данных ИС лежит трёхступенчатый программный алгоритм. Между транзисторами сделан воздушный зазор, ослабляющий перекрёстные связи между ячейками до 5% от изначального уровня. Максимальная скорость записи составляет 18 Мбайт/с .
Благодаря оптимизации структуры периферийных схем удалось уменьшить площадь кристалла на 20% по сравнению представленными на рынке моделями.
«Микросхемы NAND 128 Гбит обеспечивают очень высокую скорость записи (18 Mбайт/с). Она достигается за счёт  использования запатентованной передовой архитектуры SanDisk ABL (all bit line). Это значит, что технология Х3 может быть применена к некоторым категориям продуктов, в которых используются микросхемы флэш-памяти MLC NAND», — говорится в докладе SanDisk.
Подробное описание технологии представлено в рамках международной конференции по твердотельной электронике ISSCC в Сан-Франциско.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/01.03.2012


TSMC приступит к массовому выпуску 450-мм пластин в 2015 году


Источники ресурса Digitimes сообщили новые подробности, касающиеся планов TSMC выйти в ближайшем будущем на массовое производство 450-мм кремниевых пластин. Предполагается, что опытное производство данных пластин начнется в 2013-2014 году, а серийный выпуск запланирован на 2015-2016 гг.
Согласно планам TSMC, 95% производственных мощностей будет введено в строй в 2014 году, а в следующем компания начнет выпуск пробных партий кремниевых пластин данного типоразмера. До этого TSMC еще предстоит разрешить технические проблемы, связанные с выпуском 450-мм пластин. Эти проблемы планируется преодолеть в сотрудничестве с поставщиками материалов и оборудования.
Следует также добавить, что по данным источников, 450-мм кремниевые пластины предполагается использовать в 14-нм процессе. Ранее TSMC заявила, что научные исследования, касающиеся 14-нм технологии, будут начаты в 2012 году. Переход на выпуск более крупных пластин позволит снизить себестоимость производства, а также высвободить людские ресурсы.
Источники ресурса Digitimes сообщили новые подробности, касающиеся планов TSMC выйти в ближайшем будущем на массовое производство 450-мм кремниевых пластин. Предполагается, что опытное производство данных пластин начнется в 2013-2014 году, а серийный выпуск запланирован на 2015-2016 гг.
Согласно планам TSMC, 95% производственных мощностей будет введено в строй в 2014 году, а в следующем компания начнет выпуск пробных партий кремниевых пластин данного типоразмера. До этого TSMC еще предстоит разрешить технические проблемы, связанные с выпуском 450-мм пластин. Эти проблемы планируется преодолеть в сотрудничестве с поставщиками материалов и оборудования.
Следует также добавить, что по данным источников, 450-мм кремниевые пластины предполагается использовать в 14-нм процессе. Ранее TSMC заявила, что научные исследования, касающиеся 14-нм технологии, будут начаты в 2012 году. Переход на выпуск более крупных пластин позволит снизить себестоимость производства, а также высвободить людские ресурсы.
www.3dnews.ru/tags/26.12.2011

В Сингапуре откроется центр передовых технологий корпусирования 3D-кристаллов


Компания Applied Materials и Институт микроэлектроники (Institute of Microelectronics, IME) открыли совместный Центр (Centre of Excellence in Advanced Packaging, CEAP) для разработки передовых технологий корпусирования объемных кристаллов.
Совместные инвестиции Applied Materials и IME объемом более 100 млн долл. пойдут на создание чистой комнаты класса 10 и площадью 14 тыс. кв.м в Сингапурском научном парке II. Центр оснащен полностью интегрированной 300-мм производственной линией, построенной для научных исследований и разработки технологий корпусирования объемных кристаллов.
Этот центр станет самой передовой лабораторией в своем роде, специализирующейся на корпусировании объемных кристаллов на уровне пластин. Компания Applied Materials оснастит лабораторию оборудованием и технологическим процессом, тогда как Институт микроэлектроники предоставит исследовательские ресурсы.
Корпусирование 3D-кристаллов станет новым этапом развития полупроводниковой индустрии, когда производство кристаллов с малым потреблением будет осуществляться в корпусах меньшего размера, а полоса пропускания данных станет шире, что приведет к дальнейшему совершенствованию мобильных устройств.
Традиционно кристаллы соединяются с корпусами по их краям с помощью проволоки. Такой подход ограничивает возможное количество соединений кристалла, а достаточно длинные проволочные соединения приводят к большим задержкам на распространение сигнала и уменьшают энергоэффективность.
Межсоединение кристаллов в многоярусном 3D-корпусе осуществляется с помощью технологии TSV (Through-Silicon Vias – сквозные межсоединения в кремнии). Ожидается, что благодаря размещению кристаллов памяти на кристаллах логики размер корпуса уменьшится на 35%, энергопотребление снизится на 50%, а полоса пропускания данных увеличится более чем в 8 раз.
Корпусирование 3D-кристаллов – новый виток в развитии электроники
Источник: Electronics news
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/12.03.2012


TSMC расширяет производство на фабрике Fab 14


Стремясь не потерять клиентов, которые опасаются задержек при выполнении их заказов, фаундри-компания TSMC быстрыми темпами наращивает свои мощности.
9-го апреля TSMC провела церемонию закладки фундамента корпуса Phase 5 фабрики Gigafab Fab 14 в Научном парке в Тайнане (Тайвань). Вслед за корпусом Phase 6 фабрики Fab 12 в Хсинчу эта линия станет еще одним основным центром, работающим по 20-нм технологии.
TSMC сообщила, что запуск серийного производства на фабрике Fab 12 по 20-нм технологии запланирован на 2013 г. Корпус Phase 5 фабрики Fab 12 станет вторым производством по этой норме, а запуск данной линии состоится в начале 2014 г. Таким образом, суммарная площадь зоны чистых комнат с учетом площади Phase 6 фабрики Fab 14 составит 87 тыс. кв. м, что в четыре раза превышает показатель стандартной 12-дюймовой фабрики.
Производство TSMC уже работает по 28-нм технологии, а запуск 20-нм мощностей предполагается осуществить с опережением графика.
Фабрика Fab 14 компании TSMC является вторым 300-мм производством после Fab 12. Серийное производство на мощностях Phase 1 этой фабрики было запущено в 2004 г. Ежеквартальная мощность Fab 14, в состав которой входят корпуса Phase 1–4, составляет 550 тыс. 12-дюймовых пластин, что позволяет считать это производство крупнейшим 12-дюймовым заводом в мире. Ежегодный доход фабрики Fab 14 с учетом всех действующих мощностей достигает 6 млрд долл. При этом TSMC рассчитывает на то, что ежегодный доход от производства на мощностях Phase 5 и 6 достигнет примерно того же уровня, а высокие объемы выпускаемой продукции и показатели выхода годных изделий позволяют говорить о TSMC как о мировом лидере в области контрактного производства ИС.
В настоящее время на фабрике Fab 14 работает около 4600 сотрудников. После расширения этого производства штат пополнится еще 4500 высококвалифицированными сотрудниками.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/11.04.2012

 

Globalfoundries выпустила 250 тысяч кремниевых пластин с использованием 32 нм техпроцесса


Известно, что на первых этапах освоения 32 нм технологии уровень выхода годных процессоров на конвейере Globalfoundries был ниже удовлетворительных значений, и только недавно соглашение с AMD, касающееся условий оплаты кремниевых пластин, было пересмотрено на более выгодных для Globalfoundries условиях. Представители AMD при этом заявляют, что уверены в способности Globalfoundries обеспечить стабильное качество продукции, и поэтому условия соглашения были пересмотрены.
Уверенность в качестве 32 нм продукции компания Globalfoundries на этой неделе подтвердила пресс-релизом, в котором доложила о выходе 250-тысячной кремниевой пластины, обработанной по данной технологии с использованием HKMG. Сообщается, что за пять кварталов компании удалось выпустить по 32 нм технологии в два раза больше кремниевых пластин, чем на соответствующих этапах освоения 45 нм технологии.
Компании удалось расширить производственные мощности в окрестностях Дрездена, теперь здесь можно ежемесячно выпускать до 80 000 кремниевых пластин. Более чем 50% объёмов производства на Fab 1 связано с использованием материалов с высоким значением диэлектрической константы и транзисторов с металлическим затвором (HKMG). В Globalfoundries надеются, что применение HKMG при переходе на 28 нм технологию позволит завершить эту миграцию быстро и безболезненно. Globalfoundries уже готова принимать заказы на 28 нм продукцию, среди заказчиков окажется и AMD, хотя последняя оставляет за собой право пользоваться услугами других подрядчиков в рамках этого техпроцесса.
Сайт ElectroIQ попутно сообщает, что представители Globalfoundries уверены в превосходстве своей версии технологии FinFET над сопоставимым решением Intel. Если процессорный гигант начал использовать транзисторы с трёхмерной структурой ещё в рамках 22 нм технологии, то Globalfoundries и партнёры сделают это только в рамках 14 нм техпроцесса, который они освоят к 2014-2015 году. В Globalfoundries считают, что мобильные процессоры с использованием технологии FinFET у членов альянса CPTF получатся более удачными, чем у Intel. Очевидно, речь идёт о превосходстве в энергетической экономичности.
www.overclockers.ru/hardnews/22.03.2012

Крупнейший китайский производитель полупроводников SMIC получил кредит в 600 млн долл. США


Кредит направлен на расширение производственных мощностей пекинского отделения SMIC и развитие технологий производства на 300-мм пластинах.
Крупнейший китайский производитель полупроводников SMIC (Semiconductor Manufacturing International), штаб-квартира которого находится в Шанхае, объявил, что его пекинское подразделение подписало соглашение с консорциумом банков во главе с Государственным банком развития Китая и Экспортно-импортным банком Китая о привлечении синдицированного кредита на общую сумму 600 млн долл. США. Кредитное соглашение рассчитано на семь лет. Другими участниками банковского консорциума являются Строительный банк Китая, Банк Шанхая и банк Пекина. Новый кредит, в первую очередь, будет направлен на расширение производственных мощностей пекинского отделения SMIC и развитие технологий по производству пластин размером 300 мм.
SMIC сегодня владеет рядом фабрик по производству пластин, в частности, одной 300-мм и тремя 200-мм фабриками в Шанхайском отделении, двумя 300-мм фабриками в Пекине. SMIC также имеет 200-мм завод в Тяньцзине (Tianjin), а также 200-мм фабрику в стадии строительства в Шэньчжэне (Shenzhen). Кроме того, SMIC управляет принадлежащей корпорации Xinxin Semiconductor Manufacturing 300-мм фабрикой в Ухане (Wuhan).
Данное кредитное соглашение показывает, что крупные китайские государственные и коммерческие банки верят в потенциальные возможности пекинской фабрики SMIC. Как подчеркнул в своём заявлении генеральный директор SMIC Цзы-Инь Чу (Tzu-Yin Chiu),  «кредит позволит повысить капитализацию SMIC для достижения лучшего баланса между краткосрочной и долгосрочной задолженностями».
SMIC сообщила о чистых убытках в IV кв. 2011 г. в размере 165,6 млн долл. США по сравнению с убытком в 88,1 млн долл. в предыдущем квартале и прибылью 68,6 млн долл. год назад, что означает уменьшение дохода компании на 5,6% за квартал и на 29% за год.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/21.03.2012


Дела Globalfoundries налаживаются


Аджит Маноча (Ajit Manocha), президент Globalfoundries, доволен «замечательными результатами», которые в IV кв. показала его компания. По его словам, Globalfoundries стала набирать обороты после целого года неудач и проблем.
В ближайшее время откроется новая фабрика этой компании в северной части шт. Нью-Йорк, а в июне этого года ожидается запуск 20-нм линии. В 2012 г. объем капитальных вложений Globalfoundries составит более 3 млрд долл.
Однако этот показатель намного ниже тех 5 млрд долл., которые были потрачены компанией в прошлом году с той же целью. По мнению аналитиков, снижение этого показателя, главным образом, объясняется отсрочкой планов (или возможным отказом от них) по строительству нового фаба в Абу-Даби.
Globalfoundries не представила сведений о доходах за 2011 г. В финансовых кругах ходят слухи, что ее доходы упали на 20% из-за проблем с выходом годных кристаллов AMD и ограничительного договора о поставках кремниевых пластин.
Однако, по словам Маночи, на Дрезденской фабрике Globalfoundries продолжится выпуск 32- и 28-нм кристаллов, а в перспективе – 14-нм продукции.
В интервью изданию EE Times президент Globalfoundries заметил, что его компания поставила свыше 700 тыс. пластин. Кроме того, она доказала жизнеспособность технологии Gate First, тогда как многие считали ее разработку бесперспективной.
Техпроцесс HKMG компании Globalfoundries отличается от метода Intel. Globalfoundries использует технологию Gate First, a Intel – Gate Last. По мнению разработчиков, у Gate First лучшие показатели: в частности, большая плотность расположения транзисторов, лучшая производительность и меньшее энергопотребление. Технология Intel проигрывает технологии Globalfoundries по размеру кристалла на 10–20%. Это значит, что площадь 28-нм кристалл будет примерно та же, что и у 22-нм кристалла Intel при равном числе транзисторов. Однако, начиная с уровня 20 нм, Globalfoundries придется перейти на Gate Last.
Многие аналитики до их пор сомневаются, насколько правилен выбор технологии Gate First. Попытки Globalfoundries запустить производство Llano APU по этой технологии обошлись AMD в десятки миллионов долларов в 2011 г.
По словам Маночи, масштабирование техпроцесса с 40 на 32 нм, действительно, было связано с определенными трудностями, однако дальнейший переход с 28 на 20 нм и освоение производства на основе 450-мм пластин будут сопряжены с еще большими сложностями.
Несмотря на заявление Маночи о скором запуске производства Globalfoundries в шт. Нью-Йорк, остается открытым вопрос о востребованности этой фабрики. Например, ставится под сомнение способность Globalfoundries восстановить утерянное доверие заказчиков и привлечь фаблесс-компании первого эшелона для выпуска 28- и 20-нм изделий.
Не решен и вопрос о взаимоотношениях между Globalfoundries и ее ближайшим партнером – компанией AMD. Ее отказ от производства 28-нм процессоров на Globalfoundries и уход к TSMC многие аналитики расценивают как серьезный ущерб взаимоотношениям этих двух компаний.
И хотя уже решено, что AMD будет производить процессоры Trinity по технологии 32 нм на фабрике Globalfoundries в Дрездене, перспективы сотрудничества компаний неясны.
При этом многие аналитики уверены в том, что вся продукция AMD по нормам ниже 32 нм будет изготавливаться на TSMC.
Источник: EETimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/01.02.2012


Qualcomm и NVIDIA не хватает мощностей TSMC


Дефицит чипов, построенных по технологическому 28-нм процессу TSMC, скорее всего, вынудит NVIDIA и Qualcomm обратиться к другим мастерским в качестве второго поставщика. NVIDIA начала выборку своих чипов Samsung Electronics, сообщил Digitimes. В настоящее время для изготовления своей продукции вендор использует в качестве подрядчика лишь TSMC.
Также в подтверждение дефицита производственных мощностей TSMC при изготовлении чипов по 28-нм технологии Qualcomm обратилась в United Microelectronics (UMC) и Globalfoundries.
Сообщается, что TSMC испытывает проблемы с объёмом выпуска своих узлов, изготавливаемых по 28-нм технологии, что вызывает затруднения с наращиванием производственных мощностей. Также считается, что мастерская пытается контролировать доступность своих производственных мощностей 28-нм ввиду того, что недостаточные ставки доходности негативно отразятся на показателях валовой прибыли.
Несмотря на недавние сообщения TSMC относительно планов о расширении производственных мощностей 28-нм, предстоящее открытие новых линий вряд ли поможет гарантированно устранить дефицит до первого квартала 2013 года.
www.astera.ru/news/19.04.2012

Объём производства кремниевых пластин в 2012 г. вырастет на 12%


Эксперты ожидают существенный рост объёмов производства кремниевых пластин в 2012-2015 гг.
По данным исследовательской компании IHS iSuppi, увеличение объёма электроники в популярных планшетах, смартфонах и ультрабуках будет стимулировать в этом году рост промышленного производства у глобальных производителей кремниевых пластин.
В соответствии с прогнозом IHS iSuppi, чистая выручка поставщиков пластин вырастет в 2012 году до 29,6 млрд долл. США, т.е. на 12% по сравнению с 26,5 млрд долл. США в 2011 году. Как говорится в сообщении IHS iSuppi, это соотвтетствует примерно трехкратному росту для всей полупроводниковой промышленности. Производители пластин предполагают, что в конце первого квартала начнётся устойчивый рост спроса, а к третьему кварталу спрос должен достигнуть своего пика.
Быстрый рост в этом году является существенным улучшением по сравнению с весьма слабым 3% ростом в 2011 году, когда оживился рост промышленности после падения в результате  рецессии на 45% в 2010 году. В отличие от спада в прошлые годы, предполагается, что рост доходов производителей пластин будет оставаться значительным в ближайшие годы. Ориентировочно, по прогнозу IHS iSuppi, доходы вырастут еще на 14% в 2013 году до 33,6 млрд долл. США, а процент роста в 2014 и 2015 годах будет определяться двухзначными цифрами.
По словам Лена Елинека, директора и главного аналитика полупроводникового производства в IHS, в этом году значительная производительность является результатом существенного роста спроса на потребительские продукты, производство которых связано с необходимостью использования передовых технологий для создания маломощных приложений. Особенностью таких приложений является увеличенное количество полупроводниковых компонентов, причём это количество будет и далее расти, чтобы поддерживать более сложные функциональные возможности изделий.
В перечень продуктов этого года, в которых будет увеличиваться объём электроники, входят такие пользующиеся значительным спросом портативные устройства, как планшеты и смартфоны, в том числе от Apple, а также телефоны Google Android и ультрабуки, причём последние будут являться ключевым новым устройством, которое, как надеются многие компании, будет стимулировать новый рост спроса.
Как отмечает IHS, ожидаемый в 2012 году рост полупроводникового рынка будет определяться продажами планшетов и смартфонов, которые будут стимулировать рост доходов от продаж флэш-памяти NAND и специализированных интегральных схем ASIC.
В то же время, будет проходить оживление рынка ноутбуков — за счет появления на рынке ультрабуков, которые вызовут рост доходов в микропроцессорном сегменте рынка.
По мнению IHS, указанные выше растущие сегменты рынка будут резко контрастировать с одним из сегментов, который резко сжимается. Рынок DRAM, по прогнозам, будет падать в  2012 году, особенно из-за недавнего банкротства ключевого игрока рынка — компании Elpida.
IHS указывает, что несмотря на то, что полупроводниковая промышленность демонстрирует  внушающие оптимизм показатели, существуют весьма сложные проблемы. Наиболее важным вопросом в 2012 году будет, по-прежнему, состояние мировой экономики. Хотя ситуация в США и некоторых странах Еврозоны начинает улучшаться, рост может быть незначительным, т.к. экономика этих и других стран зависит от нефти, особенно в свете уже весьма высоких цен на энергоносители, что может в дальнейшем вывести ситуацию из-под контроля, особенно, если останется нерешённой напряженность на Ближнем Востоке.
Как указывает IHS, в настоящее время, объём складских запасов также остаётся одной из основных проблем по всей цепочке поставок. Компании, например, до сих пор ждут до последней минуты момента для  размещения заказа, зная, что при повышении спроса общий объем производства останется прежним. Насколько необходимо будет дополнительно сократить запасы, еще предстоит выяснить, в зависимости от возможных инноваций, которые могли бы стимулировать рост полупроводниковой промышленности в большей степени, чем простой механизм регулировки спроса и предложения для существующих продуктов.
По мнению IHS, третья задача для производителей пластин связана с финансами. По прогнозам, фирмы,  в отношении капитальных расходов в 2012 году, будут еще более осторожными, хотя расходы, по прогнозам, сократятся на 19% в этом году.
В IHS полагают, что производителям пластин также придется бороться с продолжающимся снижением средних цен продажи, особенно в свете повышения общей конкуренции.
TSMC правит бал среди производителей пластин.
По мнению IHS, рынок производителей пластин по прежнему фрагментирован и содержит основную группу из 4-х топ-поставщиков и группу из 16, более мелких компаний, которые относятся к производителям второго, менее значимого уровня.
Группа из 4-х ведущих производителей в 2011 году включала под №1 компанию Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp. (TSMC) с выручкой 14 млрд долл. США, на втором месте следует компания UMC с выручкой 3,6 млрд долл. США. Остальные, входящие в Топ-4 компании, — это занимающая 3-ю строчку компания Globalfoundries с 3,5 млрд долл., и на четвертом месте находится Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) c 1,3 млрд долл.
В минувшем году, на 5 строчке общего списка и на первой позиции в списке компаний второго эшелона находилась компания Tower Semiconductor Ltd. с выручкой 613,0 млн долл. США. У компании  TowerJazz есть одна особенность: для увеличения своей пропускной способности она на основе долголетнего соглашения активно поглощает предприятия, занимающиеся производством пластин, что остается самым жизнеспособным методом расширения для компаний, желающих нарастить свои производственные мощности.
Как отмечает IHS, решение, которое включает в себя приобретение фабрики и последующее строительство в соответствии с результатами экспертизы существующего производственного предприятия, является наиболее эффективным способом для удовлетворения спроса на полупроводниковом рынке, что подтверждается специалистами многих производственных компаний второго уровня в Китае и Европе.
Источники: DigiTimes, EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/18.04.2012

TSMC рассматривает возможность перехода на 18 нм и 16 нм технологии


О том, что компания TSMC стремится предоставлять своим клиентам несколько разновидностей каждого техпроцесса, можно судить хотя бы по схеме сотрудничества с холдингом ARM. В рамках 28 нм технологии, например, предлагаются четыре разновидности техпроцесса, позволяющие выпускать микросхемы с разным уровнем быстродействия и энергопотребления.
Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления вице-президента TSMC Шан'и Цзяна (Shang-yi Chiang), в рамках 20 нм технологии компания предложит клиентам только одну разновидность техпроцесса. Изначально планировалось, что их будет две, но дальнейшие исследования заставили TSMC придти к выводу, что различия между микросхемами, получаемыми по двум разновидностям 20 нм техпроцесса, минимальны в силу высокой плотности размещения полупроводников и их малых физических размеров. Было принято решение осваивать только одну разновидность 20 нм технологии. При освоении этой ступени будут применяться материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлизированным затвором.
Ожидается, что массовое производство микросхем по 20 нм технологии будет освоено в следующем году. Если промышленность предложит соответствующий инструментарий, то TSMC планирует освоить выпуск 14 нм микросхем к 2015 году. Ожидается, что в рамках этого техпроцесса будут использоваться транзисторы с трёхмерной структурой, которые Intel уже внедрила на этапе освоения 22 нм технологии.
Для перехода на 14 нм техпроцесс может потребоваться внедрение сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), но производители литографического оборудования пока не могут решить некоторые технические проблемы, препятствующие его серийному производству. Освоить 14 нм техпроцесс на имеющемся оборудовании, использующем лазер с длиной волны 193 нм и иммерсионную литографию, вряд ли получится без экономически неоправданных затрат.
Представители TSMC заявляют, что в качестве запасного варианта рассматривают возможность перехода на технологические нормы 18 нм или 16 нм. Очевидно, решение будет принято позднее, когда определятся технологические возможности производителей литографического оборудования.
www.overclockers.ru/hardnews/19.04.2012

 

NVIDIA говорит о ситуации с 28 нм техпроцессом


Руководство NVIDIA во время выступления на сегодняшней квартальной отчётной конференции уже дало понять, что ограниченные возможности TSMC по наращиванию объёмов выпуска 28 нм микросхем сдерживают темпы роста прибыли самой NVIDIA. По крайней мере, на уровне прогнозов всё выглядит именно так, и даже вездесущий дефицит жёстких дисков на этом фоне утрачивает свою значимость.
Попробуем рассмотреть основные комментарии, которые на прошедшей квартальной конференции NVIDIA были посвящены ситуации с уровнем выхода 28 нм графических решений. Этот показатель оказался ниже, чем ожидала NVIDIA, но он выше соответствующего критерия оценки 40 нм техпроцесса на том же этапе освоения. По предположениям главы NVIDIA, от ограниченности объёмов выпуска 28 нм изделий компанией TSMC в равной степени страдают все заказчики, графические решения NVIDIA в этом смысле не хуже других. Полностью удовлетворить спрос на 28 нм изделия компания TSMC, по мнению Дженсена Хуана, не сможет до конца текущего года. Даже если объёмы производства будут увеличиваться, спрос может опережать предложение, поскольку 28 нм микросхемы будут применяться и в смартфонах.
Господин Хуан отметил, что если ситуация с доступностью способных выпускать 28 нм изделия мощностей не улучшится, компания оставит часть продуктов на 40 нм техпроцессе. В идеале же NVIDIA хотелось бы в текущем году перевести все изделия на 28 нм техпроцесс – по крайней мере, в производительном сегменте. Поставки 28 нм изделий по заказам NVIDIA компания TSMC начала ещё в прошлом квартале, который в календаре первой завершился 29 января этого года. Однако, только в текущем квартале объёмы поставок 28 нм изделий NVIDIA достигнут значимых величин. Ситуация с 28 нм техпроцессом не конвейере TSMC планомерно улучшается, но не с той скоростью, которая устроила бы NVIDIA. Компания хотела бы достаточно быстро перевести свои графические решения на 28 нм техпроцесс, и к концу года она рассчитывает оказаться в выгодном положении по сравнению с конкурентами.
По поводу сроков анонса Kepler глава NVIDIA не сказал ничего определённого, лишь выразив надежду, что скоро сможет поведать о продуктах этого семейства больше подробностей. Kepler он назвал, "пожалуй, самым лучшим GPU в истории NVIDIA", особенно по уровню быстродействия и энергетической эффективности.
www.overclockers.ru/hardnews/16.02.2012


TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.


Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., ведущая полупроводниковая фаундри-компания, в начале 2013 г. будет собирать объемные ИС. Об этом заявила Мария Марсид, президент отделения TSMC Europe.
Для реализации технологии под рабочим названием COWOS (chip on wafer on substrate) компании потребуется один год на подготовку всех физических инструментальных комплектов и поддержки средствами САПР.
TSMC уже работает с некоторыми партнерами над промежуточными кремниевыми слоями объемных кристаллов, в т.ч. с Xilinx. Первые заказчики TSMC смогут отдавать микросхемы на корпусирование сторонним подрядчикам на свое усмотрение, но в дальнейшем TSMC возьмет на себя сборку в полном объеме.
Ряд компаний, специализирующихся на процессорах для мобильных приложений, в т.ч. Qualcomm и ST-Ericsson, изучают возможности модификации объемной сборки микросхем, пытаясь увеличить их полосу пропускания и снизить энергопотребление за счет совершенствования системы ввода-вывода DRAM-памяти.
По словам Марсид, использование нескольких кристаллов памяти в одном корпусе (multi-chip package, MCP) в мобильных приложениях позволит изменить подход к проектированию логических ИС и СнК. Объемная компоновка обеспечит реализацию разных функций с помощью оптимизированных техпроцессов и технологии сквозных отверстий в кремнии (through silicon vias, TSV).
По словам Марсид, новая технология сборки позволит, не снизив производительности микросхем, уменьшить потребляемую мощность и занимаемое ими место на плате. Кроме того, разработчики получат возможность устанавливать встраиваемую 40-нм флэш-память на 28- или даже 20-нм процессоры.
Пока неясно, готова ли TSMC устанавливать в объемные микросхемы своего производства кристаллы других производителей, в частности, ИС памяти. Возможно, что в результате перехода TSMC на объемную сборку компания будет предлагать собственные стандартные кристаллы для 3D-компоновки в качестве готовых решений. Однако Марсид опасается того, что TSMC не справится с конкуренцией со стороны заказчиков. Скорее всего, TSMC будет по-прежнему выступать в привычной роли контрактного производителя.
Источник: EETimes
www.russianelectronics.ru/developer-r/news/07.02.2012

Индийские власти не отказываются от намерений построить фабрику по выпуску микросхем


Сборка и тестирование процессоров и других микросхем давно поручены фабрикам в Китае, но американские производители не так охотно размещают в третьих странах предприятия по выпуску самих кристаллов микросхем, являющихся сердцем многих компьютеров. Дело не столько в опасениях по поводу квалификации рабочей силы и зрелости инженерной инфраструктуры, сколько в политических мотивах, препятствующих экспорту из США технологий по выпуску полупроводниковых микросхем. Китайцы уже много раз доказывали западным разработчикам, что не считают зазорным копировать их продукты, зарабатывая на чужой интеллектуальной собственности.
Как сообщает сайт EE Times, индийские власти не оставляют надежды построить в стране первую фабрику, способную обрабатывать кремниевые пластины и создавать микросхемы. Переговоры на эту тему с потенциальными инвесторами ведутся не первый год, но сейчас местное правительство полно решимости достичь определённости в этом вопросе до конца текущего года. Индийские власти готовы разделить с инвесторами расходы на строительство и создание инфраструктуры. Представители властей уже заявили, что в переговорах с потенциальными инвесторами удалось добиться существенного прогресса.
Самое интересное, что у сторонников этой инициативы появились дополнительные стимулы в виде потребности индийской системы образования в бюджетном планшете Aakash. Как поясняет издание India Today, проект по снабжению студентов Индии данным планшетом будет жизнеспособен только при условии производства большинства компонентов для устройства на территории страны. В противном случае планшет не получит должного распространения. Согласно новой инициативе, все индийские студенты должны получить планшет Aakash без каких-либо затрат со своей стороны. Расходы на оплату планшета поделят между собой правительство и администрация конкретного учебного заведения. По мнению авторов инициативы, только при условии получения планшета каждым студентом он может принести реальную пользу
www.overclockers.ru/hardnews/09.02.2012

Производство 28-нм кристаллов на UMC началось раньше запланированного срока


Компания United Microelectronics Corp., являющаяся контрактным производителем полупроводников, начала поставки опытных образцов 28-нм прикладных процессоров. По мнению аналитиков компании Nomura Equities Research, это свидетельствует о более быстрых темпах реализации новейшего технологического процесса, чем ожидалось.
Речь идет о производстве процессора OMAP5, который изготавливается UMC (Шинчу, Тайвань) по заказу Texas Instruments. По данным аналитиков, небольшие партии этих кристаллов будут готовы во II и III кв. текущего года. Таким образом, можно считать, что UMC опережает своего конкурента, компанию Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., примерно на год.
При этом производство 28-нм кристаллов началось на UMC чуть ли не на три квартала раньше запланированных сроков, что, вероятно, стало возможным благодаря более успешной научно-исследовательской работе и появлению опытной партии изделий.
В то же время Globalfoundries и TSMC испытывают трудности с освоением технологических процессов по самым современным нормам, хотя TSMC отрицает этот факт, утверждая, что ей уже удалось увеличить выход годных по норме 28 нм.
Представитель UMC заявил о том, что доля 28-нм изделий составит 5% дохода компании в 2012 г., а серийное производство с использованием процесса 28HLP, в котором затвор формируется с использованием оксинитрида кремния или поликремния, запланировано на III кв. 2012 г. Производство по технологии 28HPM с применением HKMG (gate-last high-k metal gate) будет запущено во второй половине 2012 г.
По словам представителя UMC, у компании в настоящий момент более 10 заказчиков.
Источник: EETimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/13.02.2012


Samsung построит в Китае фабрику по производству памяти


Поставляя микросхемы памяти для собственных смартфонов и изделий марки Apple, компания Samsung не страдает от перепроизводства памяти. Соответственно, текущие колебания спроса и предложения на этом рынке не мешают ей делать инвестиции в расширение производства полупроводниковых изделий. Как сообщает информационное агентство Bloomberg, на северо-западе Китая в окрестностях города Сиань корейский производитель собирается возвести крупную фабрику, которая будет выпускать твёрдотельную память типа NAND.
Предполагается, что на первом этапе строительство потребует вложений в сумме $2,3 млрд., общий объём инвестиций составит около $7 млрд. Это самые большие вложения Samsung в производственный объект за пределами Южной Кореи. Соответствующая заявка недавно была подана китайским властям. Со временем именно Китай и Южная Корея станут основными производителями памяти Samsung. Новой фабрике суждено стать крупнейшей в мире среди себе подобных. Китай становится и крупным рынком сбыта электронных устройств, использующих твёрдотельную память. Кроме того, здесь производится основная часть этих устройств.
Сиань обладает достаточно развитой инфраструктурой и квалифицированной рабочей силой, хотя город и удалён от юго-восточных районов Китая, традиционно вовлечённых в процесс сборки мобильных устройств. Правительству КНР ещё предстоит одобрить заявку Samsung на строительство фабрики, поэтому до начала возведения производственных корпусов пройдёт какое-то время.
http://www.overclockers.ru/hardnews/05.04.2012

Samsung могла бы стать четвертой крупнейшей фаундри-компанией


Объем мирового рынка фаундри-услуг, по данным агентства Gartner, достиг в прошлом году 29,8 млрд долл., что на 5,1% больше по сравнению с 2010 г. Положение первой четверки фаундри-компаний в списке 10 крупнейших контрактных производителей не изменилось, однако только лидеру — TSMC — удалось увеличить долю рынка до 48,8%.
Samsung, занявшая девятое место в этом списке, заработала около 1 млрд долл. только на производстве кремниевых пластин для компании Apple. Аналитики Gartner указывают, что этот показатель не был отнесен к графе фаундри-услуг. В противном случае Samsung заняла бы четвертое место в списке крупнейших фаундри-компаний. Однако до сих пор ходят слухи о том, что своим партнером по изготовлению процессоров А6 для следующего поколения своих изделий компания Apple может выбрать не Samsung, а TSMC.
Хотя объем рынка фаундри-услуг превзошел в 2011 г. объем рынка полупроводников, аналитики Gartner считают, что рост рынка фаундри-услуг по большей мере вызван частичным обесцениванием доллара. Если бы его не произошло, рынок фаундри увеличился бы всего на 0,7%.
Таким образом, если за 2009–2010 гг. темпы роста этого рынка составили 40,5%, то за 2011 г. его объем существенно не изменился из-за невысокого объема производства персональных компьютеров и слабого потребительского спроса, а также из-за того, что с середины 2011 г. заказчики отказались от практики наращивания складских запасов.
На этом рынке продолжает консолидация — на долю первых пяти фаундри-компаний приходится почти 80% доходов.
В 2011 г. израильская компания Tower Semiconductor поднялась с шестого места списка на пятое – объем ее продаж вырос на 20,4%. В то же время доходы южнокорейской фаундри Dongbu Hitek Co., специализирующейся на аналоговых и аналого-цифровых технологиях, снизился на 5,7% по сравнению с показателем 2010 г., в результате чего она переместилась в пятого на восьмое место. Наибольшие убытки понесла китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corp. – ее продажи сократились на 15%. Источник: EE Times
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/04.04.2012

Dialog Semiconductor первой в отрасли воспользуется BCD-процессом TSMC


Фаблесс-компания Dialog Semiconductor воспользуется 130-нм технологическим процессом BCD ведущей фаундри Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. для производства ИС по управлению питанием.
Немецкая компания Dialog, производитель аналого-цифровых ИС, первой в отрасли применит процесс BCD для изготовления 130-нм кристаллов с высокой степенью интеграции для мобильных устройств – смартфонов, планшетов и ультрабуков.
По слухам, эта сделка между Dialog Semiconductor и TSMC предваряет производство ИС управления питанием, которые будут устанавливаться в смартфоны и планшеты компании Apple.
Технологический процесс BCD (bipolar-CMOS-DMOS) поддерживает интеграцию блоков логики, аналоговых и высоковольтных модулей, включая FET-транзисторы. Переход на 130 нм позволит повысить энергоэффективность ИС за счет меньшего сопротивления Rds(on).
По словам Джалала Багерли (Jalal Bagherli), главного исполнительного директора Dialog Semiconductor, его компания продолжит тесное сотрудничество с TSMC, чтобы укрепить лидирующее положение на рынке по мере перехода аналоговой индустрии на использование 300-мм пластин.
Из заявления компании Dialog Semiconductor следует, что на основе 130-нм процесса BCD было разработано несколько IP-блоков для использования в ИС по управлению питанием следующего поколения, и они уже сертифицированы. Новые микросхемы появятся к концу текущего года.
Как видим, даже линейки с такими «бывалыми» технологическими нормами производства, к слову, имеющиеся и на российских предприятиях, способны производить продукцию для самых передовых современных электронных устройств. Было бы желание.
Источник: EE Times
http://www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/03.04.2012

TSMC ожидает хороших финансовых результатов за 1Q12


Эксперты констатируют рост консолидированной выручки TSMC в первом квартале 2012 г. и предполагают их дальнейший рост во II кв.
Эксперты полагают, что консолидированная выручка крупнейшего контрактного производителя Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) за первый квартал 2012 г., будет близка к цифрам, которые ранее называло руководство компании и составит около 3,5-3,6 млрд долл. США.
За первые два месяца 2012 года консолидированная выручка TSMC составила 2,336 млрд долл. По оценкам наблюдателей, консолидированная выручка компании в марте составит 1,2–1,25 млрд долл., в результате чего квартальная сумма консолидированной выручки и будет составлять около 3,55–3,58 млрд долл.
TSMC видит хороший потенциал для своего высокотехнологического оборудования. Фото из архива Digitimes
Как отмечают эксперты, рост заказов на изделия, выполненные по технологиям до 65 нм включительно (50 нм, 45 нм, 32 нм и т.д.), обеспечил увеличение мартовских продаж по сравнению с февральским объёмом — до 1,156 млрд долл. В ближайшие месяцы, количество заказов, как ожидается, останется важным фактором  для поддержания роста продаж контрактного производителя.
По мнению наблюдателей, консолидированная выручка TSMC во втором квартале 2012 г., скорее всего, увеличится на 5-10%.
Благодаря большому объёму заказов, сформированных в начале марта на изделия, выполненные по 28-нм, 40-нм и 65-нм технологическим процессам, все производственные мощности TSMC  по выпуску 12-дюймовых пластин работают на полную мощность. По информации, полученной от поставщиков ИС для мобильных коммуникационных приложений, можно сделать вывод, что выполнение высокотехнологичных заказов продлится до середины III кв.
Источник: DigiTimes
www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/05.04.2012



Консультации

Отдел перспективного маркетинга:
Тел.                       + 375 17 398 1054
Email: markov@bms.by
ICQ: 623636020
Бюро рекламы научно-технического отдела
Тел.                       + 375 17 212 3230
Факс:                     + 375 17 398 2181


Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014