ОАО ИНТЕГРАЛ


Дизайн-центр ОАО "ИНТЕГРАЛ": ОАО "Интеграл": Технологические возможности

Технологические возможности ОАО "Интеграл

№п/п Наименование тех.процесса Характеристика техпроцесса Область применения
1 СМОS16D 1,6 мкм КМОП, 1 ПКК, 
2 металла, 13 ф/л
Цифровые ИМС, Епит=5 В
2 СМОS16H 1,6 мкм КМОП, 1 ПКК, 
1 металл, 13 ф/л
Цифровые ИМС, высоковольтный выход, Епит=5 В
3 СМОS16Y 1,6 мкм КМОП, эпитаксия, 1 ПКК, 
2 металла, 14 ф/л
Цифровые ИМС, спецстойкие, Епит=5 В
4 СМОS16X 1,6 мкм КМОП с EEPROM,
  2 ПКК, 1 металл, 17 ф/л
Цифровые ИМС с EEPROM, Епит=2,4 - 6,0 В
5 СМОS12X 1,2 мкм КМОП с EEPROM,
2 ПКК, 2 металла, LDD стоки, 23 ф/л
Цифровые ИМС, с EEPROM, Епит=2,4 - 6,0 В
6 СМОS08D 0,8 мкм КМОП, 2 ПКК, 
2 металл, LDD стоки, 18 ф/л
Аналого-цифровые ИМС, Епит= 5 В
7 СМОS08Y 0,8 мкм КМОП, эпитаксия, LDD стоки, 
1 ПКК, 2 металла, 16 ф/л
Цифровые ИМС, спецстойкие, Епит= 5 В
8 СМОS08XD 0,8 мкм КМОП,  3 кармана, LDD стоки,
2 ПКК, 2 металла, 26 ф/л
Цифровые ИМС с EEPROM, Епит=3,3 - 5 В
9 СМОS08HXE 0,8 мкм КМОП с EEPROM, 2 ПКК,
1 металл, 19 ф/л
Цифровые ИМС с EEPROM, Епит=2,4 - 6,0 В
10 СМОS08HXD 0,8 мкм КМОП с EEPROM, 2 ПКК, 1-2 металла,   19-20 ф/л Цифровые ИМС с EEPROM, Епит=2,4 - 6,0 В
11 СМОS05D 0,5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла, LDD стоки, 20 ф/л Аналого-цифровые ИМС, Епит= 5 В
12 СМОS035D 0,35 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла, LDD стоки, 18 ф/л Цифровые ИМС, Епит= 3,3 В
13 CMOS18 КМОП, 2 кармана, 1 ПКК, 1 металл, подзатворный  SiO2– 30 нм, 11 ф/л Цифровые ИМС, Епит.=1,5; 3В
14 CMOS15ACY КМОП, 2 кармана, 1 ПКК, 2 металла, подзатворный  SiO2 – 24,5 нм, LDD стоки N-типа, 14 ф/л Цифровые ИМС спецстойкие, Епит. =5 В
15 CMOS15VHCY КМОП, 2 кармана, 1 ПКК, 1 металл, подзатворный SiO2 – 24,5 нм, 11 ф/л Цифровые ИМС спецстойкие, Епит. =5 В
16 CMOS30ВH БиКМОП, 2 кармана, 2 ПКК, 1 металл, ПКК резистор, подзатворный   SiO2– 42,5 нм РNР– биполярный транзистор,   15 - 16 ф/л Цифровые ИМС, высоковольтные, Епит.=15 В
17 BСМОS08 0,8 мкм БиКМОП, 3 ПКК, 2 металла, LDD стоки, вертикальные NPN,  26 ф/л Аналого-цифровые ИМС, Епит =5 - 8 В
18 BP20-20 2,0 мкм Биполяр, 1 ПКК,   2 металла, 16 ф/л Изоляция: p-n переход Цифроаналоговые ИМС малой и средней степени интеграции, Епит. до 18 В
19 BP20С-40 2,0 мкм Биполяр, 1ПКК,  2 металла, 17 ф/л Изоляция: p-n переход Цифроаналоговые комплементарные ИМС малой и средней степении нтеграции, Епит. до 40 В
20 BPI-20Y-12 2,0 мкм Биполяр,  2 металла, 18 ф/л Изоляция: Изопланар Цифроаналоговые ИМС средней степени интеграции, Епит. до 15В
BPI-30Y-5 3,0 мкм Биполяр,  2 металла, 13 ф/л Изоляция: Изопланар Логические ИМС средней степени интеграции, стойкие к спец-воздействиям ЗУ
21 BPI2-20-5 2,0 мкм Биполяр, 1 ПКК,   2 металла, 14-16 ф/л
  Изоляция: Изопланар ІІ
Логические ИМС большой степени интеграции
22 BP20SN-100 2,0 мкм Биполяр,  1 металл, 12 ф/л
  Изоляция: p-n переход
Телефонные схемы типа SLIC, Епит.=100 В



Home Map

Back

Contact

Engl Russ

© Reseach & Design Center 2014